一种大尺度参数范围的简单忆阻超混沌电路的实现方法，由两个电容、一个电感和一个磁控忆阻器组合设计成一个四维简单忆阻超混沌电路。通过数值仿真分析了磁控忆阻器的特征曲线，验证了其具有忆阻特性；该电路的三个内部参数(a, b, c)可展现丰富的吸引子演变现象和复杂度，在大尺度范围内具有混沌特性；在忆阻模型初始条件(x0, y0, z0, w0)中发现该电路存在大量的共存吸引子，通过吸引盆地反映了该电路的混沌性能和多重稳定性；基于FPGA技术设计了相应的电路模型，实验结果与数值仿真的轨迹是一致的；具有复杂的非线性动力学特性的简单忆阻超混沌电路在安全通信、智能控制和记忆存储领域有广泛的应用潜力。
