【成果简介】
高性能二维半导体器件是当前研究的一大热点,对二维材料进行“ 封 装”是提升其性能的有效方法。封装二维材料不仅能为其提供物理隔离从 而避免外界的污染和干扰,更可以利用二维材料层间的界面效应改进其 物性。本项目拟采用第一性原理计算方法和半经典玻尔兹曼理论相结合, 研究 hBN 封装型二维材料的物性和封装效应。具体研究内容如下:1. hBN 封装不同二维材料(石墨烯、二硫化钼、磷烯等)的结构稳定性、界面 效应、电磁特性、光学性质和输运性能;2. 外界环境干扰(电场、应力、 小分子吸附、湿度、温度等)对 hBN 封装前后二维材料相关物性的影响, 探究是否存在屏蔽效应;3. 屏蔽效应的规律总结、量化分析以及理论预 测。该研究旨在探究 hBN 对二维材料的封装效果,归纳屏蔽效应的作用 范畴,揭示 hBN 封装提升二维材料性能的物理化学机制,奠定“封装技 术” 的理论基础。并设计出更好的封装方案,从而为实验上实现高性能二 维半导体器件提供指导。
【技术指标】
本项目基于密度泛函第一性原理计算和玻尔兹曼理论,从结构封装、 官能团吸附或杂质态、多相或混合维度三方面入手,实现结构稳定、性 能优异、高效率新能源材料与器件的理论构建,建立有效调控新材料和 器件性能的过程新原理。
结构封装,力图解决外界环境因素对活性的干扰问题;官能团吸附 或杂质态模型,力图从反应机理上扩展对自由基的利用;多相或混合维 度设计,力图解决电子和空穴定向分离的快慢问题,实现光催化产氢和 光电器件时界面、相和维度等的高效协同作用。
【技术成熟度】
正在研发、小试中。
【应用情况】
本项目为国家基金项目的基础理论研究,故成果以学术论文形式呈 现,还未实现成果转化和实际应用。然成果所提出的理论和模型已被广 大国内外物理化学、材料领域专家学者所接受和运用。