本发明属于磁制冷材料技术领域，具体涉及一种低温磁制冷材料及其制备方法和应用。所述低温磁制冷材料的分子式为Gd0.65Mo1.35O4或Gd2.61Mo5.39O16；所述低温磁制冷材料为单晶材料，相变温度＜2K。本发明的低温磁制冷材料在低温下具有大体积磁熵变，在2.5K温度附近当磁场变化为0‑1T的最大磁熵变≤46.2mJ·cm‑3·K‑1。同时本发明的制备方法工艺简单，无需籽晶及特殊设备要求，适合大规模工业化生产。

技术功效

[0025](1)本发明的低温磁制冷材料，具有大低磁场磁热效应，2.5K温度下在0-1T磁场变化下的最大磁熵变达到46.2mJ·cm-3·K-1，在0-2T磁场变化下的最大磁熵变达到109.3mJ·cm-3·K-1，比CN114743747A中Gd2GeO5提高61％，且优于现有技术的材料和绝大多数低温磁制冷材料(如Gd3Ga5O12、Gd(HCOO)3、Gd2SiO5等)，是一种性能优异的低温磁制冷材料。

[0026](2)本发明的制备方法，工艺简单，产率高，原料对环境无污染，反应周期较短，能源消耗较低，适合大规模工业化生产。

技术领域

[0001]本发明属于磁制冷材料技术领域，具体涉及一种低温磁制冷材料及其制备方法和应用。