本发明公开了锑掺杂有机‑无机铟基卤化物发光材料的制备方法与应用，涉及发光材料及其制备技术领域，该材料的基体材料为C4H13N3(DETA)InCl6；该基体材料中掺杂0.00005～0.15mol％的Sb3+增强发光性能以及调控发射谱波段。该材料在掺杂0.0001、0.10和0.15％mol％的Sb3+时，实现黄色宽带发射，且该材料在0.00005mol％的Sb3+掺杂时，可以实现白光发射。掺杂10％mol％的Sb3+时后材料的量子产率(PLQY)最高为99.92％，荧光性能优异，热稳定性好，极易加工处理。该材料与商用蓝色荧光粉BaMgAl10O17 : Eu2+相混合并结合紫外芯片可制备白光LEDs，所得白光LEDs具有优异的显色指数(CRI)和稳定性。该材料有望在制造发光器件、以及荧光粉等领域具有实际应用。
